O2流量為0.8sccm、1.0sccm、1.2sccm時(shí)直流和射頻制備的薄膜均呈透明狀且表面均勻致密，常溫下不同O2流量制備的Al2O3薄膜均為非晶態(tài)。　　在單因素試驗(yàn)研究的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)正交試驗(yàn)，繼續(xù)深入研究直流、射頻方法下，濺射靶功率、O2流量、工作氣壓的綜合變化對(duì)Al2O3薄膜濺射沉積速率的影響，并對(duì)正交試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行極差與方差分析。獲取了較優(yōu)的直流、射頻薄膜制備工藝參數(shù)并進(jìn)行薄膜的制備，對(duì)制備薄膜的沉積時(shí)間、薄膜表面粗糙度、薄膜的復(fù)合硬度進(jìn)行檢測(cè)并對(duì)比分析，選定了優(yōu)化后的直流濺射工藝參數(shù)并實(shí)施Al2O3薄膜的制備。通過對(duì)制備的薄膜進(jìn)行掃描電鏡觀測(cè)和能譜檢測(cè)，驗(yàn)證了所選工藝參數(shù)的合理性。對(duì)常溫下不銹鋼基底上制備的Al2O3薄膜進(jìn)行退火處理，測(cè)試分析退火溫度對(duì)薄膜晶體結(jié)構(gòu)影響，結(jié)果表明:與常溫制備薄膜相比，退火溫度800℃時(shí)出現(xiàn)γ-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)，奧氏體相消失，退火溫度1000℃時(shí)出現(xiàn)α-Al2O3晶體結(jié)構(gòu)和金屬間化合物AlFe?！　±帽∧鞲衅鞯慕Y(jié)構(gòu)要求與傳感器薄膜的性能要求探索了制備Al2O3絕緣膜的工藝方法，得出了濺射靶功率、O2流量、工作氣壓、負(fù)偏壓和本底真空度等因素對(duì)直流和射頻濺射沉積薄膜性能等的影響規(guī)律，改進(jìn)并優(yōu)化了Al2O3薄膜制備工藝，結(jié)合退火工藝得出了退火溫度對(duì)Al2O3薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響規(guī)律。

            三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD

應(yīng)用領(lǐng)域：

離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并提高觀測(cè)效率，另外可以使用噴碳附件對(duì)樣品進(jìn)行蒸碳，實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

  三氧化二鋁磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；